成人综合网站 聚灿光电苦求 GaN 发光二极照管备专利，惩办芯片段裂隐患|gan|反射层
发布日期：2024-10-23 04:40 点击次数：128
金融界 2024 年 10 月 22 日讯息，国度常识产权局信息显现，聚灿光电科技（宿迁）有限公司苦求一项名为“一种 GaN 发光二极照管备方式”的专利，公开号 CN 118763154 A成人综合网站，苦求日历为 2024 年 6 月。
专利摘录显现，本发明波及二极管时代规模，具体为一种 GaN 发光二极照管备方式，包括如下治安：S1、图形化蓝对峙衬底上制作外延，包含 N‑GAN、量子井、P‑GAN、GAN 超强电流膨胀层；S2、制作 MESA 蚀刻出 N 型区域；S3、制作 ISO 将切割谈中间部分蚀刻到图形化蓝对峙衬底；S4、制作非金属反射层：图形化网状散布、岛状散布、金属导电反射层通过镂空孔洞和 GAN 超强电流膨胀层联通，杀青金属导电反射层和 GAN 联通。蓝对峙出光面使用图形化搭配干法蚀刻决议粗化，惩办研磨粗化的芯片段裂隐患。
本文源自：金融界
作家：谍报员成人综合网站